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电子元器件详细资料 » IC[28064] » SI4946BEY-T1-E3
型号:SI4946BEY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C41 毫欧 @ 5.3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds840pF @ 30V
功率_最大2.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
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SI4946BEY-T1-E3相关型号

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